㈠ 用XRD譜圖中的半峰寬計算晶格畸變數據可信嗎
個人以為，xrd只能半定量分析，是不太准確。
㈡ 透射電子顯微鏡的圖片怎麼看
一般透射電鏡成像明場像是最容易理解的，透射電子散射角度大的區域暗，透射電子散射角度小的區域亮。最亮區域是孔隙，最暗區域是原子密度最高的部位！
透射電鏡成像有多種模式，注意採用什麼模式。
更多情況參考如下鏈接：http://bbs.instrument.com.cn/shtml/20061031/609466/
㈢ 晶格畸變的定義
缺陷的出現破壞了原子間的平衡狀態，使晶格發生扭曲，稱為晶格畸變。
㈣ 雜質原子可以使原有晶體的晶格發生局部畸變，晶格畸變有哪幾種情況
1）點缺陷 空位：高頻率熱振原離原平衡位置形 間隙原： 雜質原嵌入晶格使晶體發畸變 2）線缺陷 維缺陷：晶體表面位錯密度影響晶體表面性質 3）面缺陷 二維缺陷包括表面、晶界、亞晶界、相界
㈤ 透射電鏡選取電子衍射結果怎麼分析
非晶的話不用分析
多晶的話是規則的同心圓環，測量出各個同心圓的半徑，並計算出各自的半徑比，對照XRD數據中的d值就可以知道各個圓環對應的晶面。
單晶是規則的點排列，分析起來比較麻煩。簡單來說就是選擇距離中心最近的三個點，構成一個平行四邊形，並測量三個點到中心點的距離，以及四邊形的夾角。然後利用rd=lλ進行計算（lλ為相機參數，r是你測量的半徑）,這樣就獲得了d值，然後依據ASTM或者PDF卡片查詢對應的d值，就可以得到對應的晶面。再將晶面做一計算，看所得的夾角是否和你測量的夾角一致，如果一致，說明標定是正確的。
㈥ 晶格畸變的過程
在產生晶格畸變時，原子離開了平衡位置，引起勢能增加，體系混寬度增加，自由能升高，穩定性降低，對晶體的一系列物理和化學性質產生影響，如晶體的機械強度提高等。
㈦ 請問大家如何通過高倍透射電鏡（HR-TEM）中的FFT分析晶面啊
准確點告訴你，中國會電鏡的不多，操作的估計就那1-200人，精通的屈指可數，北京科技大學的有個張澤，王中林比較牛，當然，他的學生也應該會點。建議你找大牛直接虛心請教。或者去查詢晶格條紋間距，然後對比，確定晶面，或者用XRD輔助找晶面，當然，這個是不準確的，只能是印證，為啥國內沒高檔次的，就是大家不會。希望寄託在你身上了:D
㈧ 晶體的3中缺陷都會使晶格發生畸變,那麼,晶格畸變會使金屬的性能產生什麼影響
1、對於單晶體,將導致廢品2、對於金屬材料,有時候還需要這樣的晶格變異,適當的晶格變異將會有助於提高材料的物理性能
㈨ 晶格畸變的性能影響
晶格畸變引起材料內能增高，微觀應力增大，阻礙位錯滑移變形，使材料強度、硬度提高。
㈩ 透射電鏡圖譜怎麼分析
透射電子顯微鏡是一種具有高解析度、高放大倍數的電子光學儀器，被廣泛應用於材料科學等研究領域。透射電鏡以波長極短的電子束作為光源，電子束經由聚光鏡系統的電磁透鏡將其聚焦成一束近似平行的光線穿透樣品，再經成像系統的電磁透鏡成像和放大，然後電子束投射到主鏡簡最下方的熒光屏上而形成所觀察的圖像。在材料科學研究領域，透射電鏡主要可用於材料微區的組織形貌觀察、晶體缺陷分析和晶體結構測定。
明暗場成像原理:晶體薄膜樣品明暗場像的襯度(即不同區域的亮暗差別)，是由於樣品相應的不同部位結構或取向的差別導致衍射強度的差異而形成的，因此稱其為衍射襯度，以衍射襯度機制為主而形成的圖像稱為衍襯像。如果只允許透射束通過物鏡光欄成像，稱其為明場像；如果只允許某支衍射束通過物鏡光欄成像，則稱為暗場像。有關明暗場成像的光路原理參見圖2-1。就衍射襯度而言，樣品中不同部位結構或取向的差別，實際上表現在滿足或偏離布喇格條件程度上的差別。滿足布喇格條件的區域，衍射束強度較高，而透射束強度相對較弱，用透射束成明場像該區域呈暗襯度；反之，偏離布喇格條件的區域,衍射束強度較弱，透射束強度相對較高，該區域在明場像中顯示亮襯度。而暗場像中的襯度則與選擇哪支衍射束成像有關。如果在一個晶粒內，在雙光束衍射條件下，明場像與暗場像的襯度恰好相反。